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一种在SrTiO3基片上生长有取向的La0.5Ba0.5MnO3纳米柱或棒的制备方法

发布时间: 2019-06-06 14:39:48    浏览次数:次

  • 一种在SrTiO3基片上生长有取向的La0.5Ba0.5MnO3纳米柱或棒的制备方法
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  • 成果完成人:专利号:201310485753.1
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技术成果简介:

本发明公开了一种在SrTiO3基片上生长有取向的La0.5Ba0.5MnO3纳米柱或棒的制备方法,将选用的SrTiO3基片首先在氟化氢缓冲溶液里腐蚀15至20秒,再置于900℃-950℃氧气氛下退火30分钟,腐蚀得到SrTiO3基片表面的沟壑间距平均为0.14-0.26μm;最终将SrTiO3基片放置到水热法配置的La0.5Ba0.5MnO3溶液中,放置的位置不同,得到不同形状的La0.5Ba0.5MnO3纳米柱或棒,纳米柱或棒的平均高度为:0.14-4.22μm,宽度平均为:0.14-1.79μm。本发明的制备过程简单,成本低廉,环境污染小,制得的纳米柱或棒的取向性一致,且分布均匀。