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一种直流电沉积法制备Ni-ZnO纳米管的方法

发布时间: 2019-06-06 14:38:54    浏览次数:次

  • 一种直流电沉积法制备Ni-ZnO纳米管的方法
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  • 成果完成人:专利号:201110082312.8
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技术成果简介:

本发明公开了一种利用直流电沉积法制备Ni-ZnO纳米管的方法,先在AAO模板镀一层Cu作为直流电沉积时的阴极,分别称取29g的ZnSO4和6g的NiSO4及20g的硼酸,并将上述化学试剂配成500ml的电解液,再通过直流电沉积采用高电压制得ZnNi纳米管,最后通过在空气中氧化制得Ni-ZnO纳米管。本发明操作简单,成本低廉,可通过控制电解液浓度以及电压大小,进而控制ZnNi纳米管的管壁厚度,制备出长径比可控的Ni-ZnO纳米管,为稀磁半导体纳米器件的集成提供新的方法,并且在实验中制得的磁性ZnNi纳米管可以应用于生物检测、医学治疗、临床检验。